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  5. Experimentelle Physik I
Autor(en): Schürmann, Mark
Titel: Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung
Sprache (ISO): de
Schlagwörter: Photoelektronenbeugung
Siliziumkarbid
SiC
Halbleiteroberflächen
Grenzflächen
Photoemission
XPD
Geometrische Struktur
Semiconductor surface
Interface
URI: http://hdl.handle.net/2003/21664
http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-74
Erscheinungsdatum: 2005-10-28T07:02:30Z
Enthalten in den Sammlungen:Experimentelle Physik I

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