Autor(en): | Schürmann, Mark |
Titel: | Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung |
Sprache (ISO): | de |
Schlagwörter: | Photoelektronenbeugung Siliziumkarbid SiC Halbleiteroberflächen Grenzflächen Photoemission XPD Geometrische Struktur Semiconductor surface Interface |
URI: | http://hdl.handle.net/2003/21664 http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-74 |
Erscheinungsdatum: | 2005-10-28T07:02:30Z |
Enthalten in den Sammlungen: | Experimentelle Physik I |
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