Goser, KarlSchlünder, Christian2007-03-212007-03-212007-03-21http://hdl.handle.net/2003/24191http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-8410deZuverlässigkeitBias Temperature StressBTSNBTIDegradationMOSFET620Zuverlässigkeit von sub-µm-CMOS-Schaltungen bei Bias-Temperature-Stress (BTS)Texturn:nbn:de:hbz:290-2003/24191-8