Schürmann, Mark2005-10-282005-10-282005-10-28http://hdl.handle.net/2003/2166410.17877/DE290R-74dePhotoelektronenbeugungSiliziumkarbidSiCHalbleiteroberflächenGrenzflächenPhotoemissionXPDGeometrische StrukturSemiconductor surfaceInterface530Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugungdoctoral thesisurn:nbn:de:hbz:290-2003/21664-2