Entwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensoren

dc.contributor.advisorFiedler, Horst L.
dc.contributor.authorKontis, Christopher
dc.contributor.refereeHorstmann, John T.
dc.date.accepted2018-06-08
dc.date.accessioned2018-10-09T06:47:52Z
dc.date.available2018-10-09T06:47:52Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractBedingt durch die stetige Nachfrage einer immerwährenden Miniaturisierung von mikro-mechanischen Systemen muss der zur Integration erforderliche Platz eines solchen Systems weiter reduziert werden. Ein bekannter Ansatz hierfür ist der sogenannte System-On-a-Chip Ansatz, bei dem alle Elemente des Systems monolithisch integriert werden. Hierbei wird die erforderliche Substratfläche zweidimensional optimal ausgenutzt, während die dritte Dimension oftmals unberücksichtigt bleibt. Dies trifft insbesondere auf die mikromechanischen Systeme wie beispielsweise Drucksensoren zu. Hier werden das elektro-mechanische Wandlerelement und die Auswertungselektronik nebeneinander auf einem Substrat integriert. Im Rahmen der Arbeit wird ein CMOS-kompatibler Back-End-Prozess vorgestellt, welcher die Ausnutzung aller drei Raumrichtungen im Sinne von System-On-Top zur Herstellung von Drucksensoren ermöglicht. Der Kerngedanke ist hierbei das Sensorelement oberhalb einer bereits integrierten und passivierten Auswerteelektronik zu integrieren. Hierbei ist es unabdingbar eine maximale Prozesstemperatur von 450°C nicht zu überschreiten, da ansonsten mit irreversiblen Schäden der zuvor integrierten Schaltung zu rechnen ist. Im Vordergrund dieser Arbeit stehen somit sowohl die rechnergestützte Optimierung der geometrischen Abmessungen des Sensorelementes insbesondere der drucksensitiven Membran und der Wandlerelemente als auch die technologische Realisierung des Gesamtprozesses im Niedertemperaturverfahren.de
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2003/37141
dc.identifier.urihttp://dx.doi.org/10.17877/DE290R-19137
dc.language.isodede
dc.subjectDrucksensorde
dc.subjectHalbleiterde
dc.subject.ddc620
dc.subject.rswkCMOSde
dc.subject.rswkHalbleiterde
dc.subject.rswkDrucksensorde
dc.titleEntwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensorende
dc.typeTextde
dc.type.publicationtypedoctoralThesisde
dcterms.accessRightsopen access
eldorado.secondarypublicationfalsede

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Dissertation_Kontis.pdf
Size:
23.37 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
DNB
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
4.85 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: