Temperature scaling of leakage current in irradiated silicon sensors

Wizemann, Felix

Temperature scaling of leakage current in irradiated silicon sensors

dc.contributor.advisor	Kröninger, Kevin
dc.contributor.author	Wizemann, Felix
dc.contributor.referee	Albrecht, Johannes
dc.date.accepted	2019-12-09
dc.date.accessioned	2020-02-17T08:14:13Z
dc.date.available	2020-02-17T08:14:13Z
dc.date.issued	2019
dc.description.abstract	Mit dem Ausbau zum High Luminosity LHC (HL-LHC) wird der Spurdetekor des ATLAS-Experiments durch den Inner Tracker (ITk) ersetzt, der Pixel- und Streifensensoren aus Silizium nutzen wird. In Dortmund werden Module für die Endkappe des ITK Streifendetektors gebaut werden. In einem Teil der Arbeit wird der Ablauf derProduktion dieser Module entwickelt. Während des Betriebs werden Strahlenschäden den Leckstrom der Siliziumsensoren erhöhen. Mit Hilfe des Parameters Eeff kann dieser mit der Temperatur skaliert werden. Studien haben gezeigt, dass dieser Parameter 1.21 eV für Sensoren beträgt, die zu einer Fluenz von bis zu 1 x 1015 neqcm-2 bestrahlt wurden. Bei höherer Bestrahlung wurde ein niedriger Wert für Eeff beobachtet. Um diese Änderung in der Skalierung mit der Temperatur zu untersuchen, wird Eeff in dieser Arbeit für bestrahlte Sensoren mit Fluenzen zwischen 6 x 1014 neqcm-2 und 3 x 1015 neqcm-2 in Abhängigkeit von der angelegten Spannung bestimmt. Es wird beobachtet, dass Eeff spannungsabhängig ist und 1:21 eV nur oberhalb der Depletionsspannung anwendbar ist.	de
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2003/38572
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-20491
dc.language.iso	en	de
dc.subject	Streifensensor	de
dc.subject	Detektorphysik	de
dc.subject	Teilchenphysik	de
dc.subject	Siliziumsensor	de
dc.subject	CERN	de
dc.subject	ATLAS	de
dc.subject	ITk	de
dc.subject	HL-LHC	de
dc.subject.ddc	530
dc.subject.rswk	Siliciumsensor	de
dc.subject.rswk	ATLAS <Teilchendetektor>	de
dc.subject.rswk	HL-LHC	de
dc.subject.rswk	CERN	de
dc.subject.rswk	Elementarteilchenphysik	de
dc.title	Temperature scaling of leakage current in irradiated silicon sensors	en
dc.type	Text	de
dc.type.publicationtype	doctoralThesis	de
dcterms.accessRights	open access
eldorado.secondarypublication	false	de

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