Resonanz-Tunneldioden und Heterobipolartransistoren in dynamischen Digitalschaltungen hoher Funktionsdichte

Glösekötter, Peter

Resonanz-Tunneldioden und Heterobipolartransistoren in dynamischen Digitalschaltungen hoher Funktionsdichte

dc.contributor.advisor	Goser, Karl	de
dc.contributor.author	Glösekötter, Peter	de
dc.contributor.referee	Rojas, I.	de
dc.date.accepted	2002
dc.date.accessioned	2004-12-06T13:41:34Z
dc.date.available	2004-12-06T13:41:34Z
dc.date.created	2002-07-08	de
dc.date.issued	2002-07-18	de
dc.description.abstract	Auf der Grundlage des Resonanz-Tunnel-Heterostruktur-Bipolar-Transistors (RTBT) werden dynamische Digitalschaltungen undArchitekturen vorgestellt, die sich durch eine hohe Funktionsdichte auszeichnen. Ausgehend von einer Analyse der elektrischen Eigenschaften stromgesteuerter Bauelemente (HBT, RTD) wird deren monolithische Verschmelzung zum dreipoligen RTBT dargelegt und anhand von bestehenden Schaltungstechniken analysiert. Durch die Erweiterung des Monostabil-Bistabilen- Logikelement (MOBILE) Konzepts durch den RTBT wird erstmalig ein dynamisches, stromgesteuertes Schaltungskonzept für Quantenbauelemente demonstriert, das die wesentlichen Anforderungen an eine robuste Logikfamilie erfüllt. Die Arbeit zeigt, dass das RTBT-MOBILE bereits die nötige schaltungstechnische Reife für den Einsatz in digitalen Schaltungen wie z.B. linearen Schwellwertgattern, die eine deutliche Reduzierung der logischen Tiefe und der Schaltungskomplexität ermöglichen, besitzt. Im Vergleich zu anderen III-V-Logikfamilien weist die RTBT-MOBILE Logik vergleichbare Schaltzeiten bei geringerer Bauelementanzahl und Verlustleistung auf. Die jüngsten, auf Siliziumhalbleitermaterial basierenden Erfolge von Interband- und Resonanz-Tunnelbauelementen zeigen ein vorhandenes Potential zur Schaltungsfertigung. Damit können die im Rahmen dieser Arbeit vorgestellten Schaltungskonzepte und Designstrategien in die Siliziumtechnologie überführt werden.	de
dc.format.extent	12465 bytes
dc.format.extent	16664570 bytes
dc.format.extent	2944644 bytes
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.format.mimetype	application/postscript
dc.format.mimetype	application/pdf
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2003/2826
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-1181
dc.language.iso	de	de
dc.publisher	Universität Dortmund	de
dc.subject	RTD	de
dc.subject	HBT	de
dc.subject	RTBT	de
dc.subject	MOBILE	de
dc.subject	Quanteneffekt-Bauelement	de
dc.subject	Monolithische Schaltungstechnik	de
dc.subject	Resonant-Tunneling-Bipolar-Transistor	en
dc.subject	quantum celluar automata	de
dc.subject	QCA	de
dc.subject	Heterostruktur-Feldeffekttransistor	de
dc.subject	HFET	de
dc.subject	Heterostruktur-Bipolar-Transistor	de
dc.subject	Quantengrößeneffekt	de
dc.subject	Schwellwertlogik	de
dc.subject	Nanotechnologie	de
dc.subject	Schaltungstechnik	de
dc.subject	Nanoelektronik	de
dc.subject.ddc	620	de
dc.title	Resonanz-Tunneldioden und Heterobipolartransistoren in dynamischen Digitalschaltungen hoher Funktionsdichte	de
dc.type	Text	de
dc.type.publicationtype	doctoralThesis	de
dcterms.accessRights	open access

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