Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung
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Photoelektronenbeugung, Siliziumkarbid, SiC, Halbleiteroberflächen, Grenzflächen, Photoemission, XPD, Geometrische Struktur, Semiconductor surface, Interface