Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung

dc.contributor.advisor	Westphal, Carsten
dc.contributor.author	Schürmann, Mark
dc.contributor.referee	Weber, Werner
dc.contributor.referee	Horn, K.
dc.date.accepted	2005-08-29
dc.date.accessioned	2005-10-28T07:02:30Z
dc.date.available	2005-10-28T07:02:30Z
dc.date.issued	2005-10-28T07:02:30Z
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2003/21664
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-74
dc.identifier.urn	urn:nbn:de:hbz:290-2003/21664-2
dc.language.iso	de
dc.subject	Photoelektronenbeugung	de
dc.subject	Siliziumkarbid	de
dc.subject	SiC	de
dc.subject	Halbleiteroberflächen	de
dc.subject	Grenzflächen	de
dc.subject	Photoemission	de
dc.subject	XPD	de
dc.subject	Geometrische Struktur	de
dc.subject	Semiconductor surface	en
dc.subject	Interface	en
dc.subject.ddc	530
dc.title	Strukturbestimmung an ultradünnen SiO2-Filmen auf 4H-SiC(0001) mittels Photoelektronenspektroskopie und -beugung	de
dc.type	Text	de
dc.type.publicationtype	doctoralThesis
dcterms.accessRights	open access

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