Spinkohärenz und g-Faktor-Anisotropien in Halbleiter-Quantenstrukturen

Abstract

Der Spin von Ladungsträgern, Elektronen oder Löchern in Halbleiter-Quantenstrukturen hat sich in den letzten Jahrzehnten, als ein guter Kandidat zur Realisierung von Quanten- Bits gezeigt. Eine rein optische Umsetzung der Spinkontrolle ist von besonderem Interesse, da sie unter Ausnutzung moderner Lasertechnologie zur ultraschnellen Quanteninformationsverarbeitung führen kann. Es gibt zahlreiche Bemühungen, durch Initialisierung und Manipulation des Spins Quanteninformationsverarbeitung zu betrieben. In den meisten Fällen wird dies durch ein Zwei-Niveau-System in einem externen Magnetfeld realisiert. Die Größe der resultierenden Spinaufspaltung wird durch den g-Faktor entlang der Feldrichtung ausgedrückt. In dieser Arbeit wird zum einen die Erzeugung von Spinkohärenz, zum anderen die g-Faktor-Anisotropie in Quantenpunkten und -schichten untersucht, um damit die entscheidenden Rückschlüsse auf die Bandstruktur der Quantenstrukturen und ihrer Materialzusammensetzung zu erhalten.