Autor(en): | Kurakin, Andriy |
Titel: | Transport and noise properties of AlGaN/GaN heterostructures for high-frequency applications |
Sprache (ISO): | en |
Schlagwörter: | III-nitrides Noise Low-temperature transport AlGaN/GaN-structure High Electron Mobility Transistor HEMT Resonant Tunneling Diode RTD |
URI: | http://hdl.handle.net/2003/24955 http://dx.doi.org/10.17877/DE290R-15751 |
Erscheinungsdatum: | 2008-01-21T10:24:29Z |
Enthalten in den Sammlungen: | Experimentelle Physik II |
Dateien zu dieser Ressource:
Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
---|---|---|---|---|
Kurakin_PhD_Thesis.pdf | DNB | 1.91 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
Diese Ressource ist urheberrechtlich geschützt. |
Diese Ressource ist urheberrechtlich geschützt. rightsstatements.org